晶圆光刻胶是半导体制造光刻工艺中最关键的材料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜，前烘，曝光，后烘，显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。随着集成电路线宽缩小、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增加，成为延续摩尔定律的关键技术之一。